Создан первый в мире плоский полевой транзистор
Команда Лаборатории Беркли разработала уникальный полевой транзистор с использованием графена.
Лаборатория Беркли
Полевой транзистор повсеместно применяется в портативных гаджетах. Для контроля работы носителей заряда он использует электрическое поле и состоит из трех основных компонентов: истока, стока и затвора. Недостатки их кристаллических структур вызывают помехи в движении электронов, тем самым увеличивая скачки напряжения.
Новое устройство толщиной всего шесть атомных слоев использует в качестве истока, стока и затвора графен. Изолятором выступает гексагональный нитрид бора (h-BN), а каналом служит слой молибденита. Каждый слой толщиной в атом механически отслаивается и накладывается на гибкую кремниевую пластину. Слои генерируются отдельно и только потом помещаются на несущую конструкцию, что позволяет свести к минимуму структурные дефекты на молекулярном уровне.
«Мы представляем устройство с уникальной структурой, где толщина каждого компонента строго определена, а их поверхности не имеют шероховатостей даже на атомном уровне. По нашему мнению, будущее электроники именно за такими устройствами», — комментирует Али Джэйви, ведущий исследователь проекта.
Новинка демонстрирует сверхскорости переключения затвора и неизменную подвижность электронов от истока к стоку при высоком напряжении. В результате могут создаваться сверхбыстрые КМОП-чипы, способные на несколько порядков повысить быстродействие мобильных устройств.