Ультратонкое устройство памяти, материализованное с помощью двумерного наноматериала толщиной в несколько нанометров, помимо очевидных плюсов в плане габаритов также может обладать куда большей плотностью памяти. Однако у такой памяти тоже есть ограничения — наноматериалы довольно плохо захватывают носители заряда.
Учёные придумали, как сделать сверхтонкую память на квантовых точках
Исследовательская группа из института передовых композитных материалов Корейского института науки и технологии объявила о разработке прозрачного и гибкого устройства для хранения информации на основе гетерогенной низкоразмерной ультратонкой наноструктуры.
Korea Institute of Science and Technology
За ультратонкими материалами будущее — память из такх материалов будет занимать минимум места в устройстве.
Исследовательская группа создала устройство, которое может стать кандидатом на память следующего поколения. Устройство сформировано из монослойных нульмерных квантовых точек, помещенных между двумя изолирующими двумерными гексагональными нитридами бора — а точнее, их ультратонкими нанопленками.
Учёные внедрили нульмерные квантовые точки с отличными квантово-ограничительными свойствами в активный слой, контролируя носители в 2D наноматериале. Квантовые точки сформировали вертикально сложенную композитную структуру (как стопка), которую поместили между двумерными гексагональными наноматериалами. Разработанное устройство сохраняет прозрачность более 80% и свои функции даже при сгибании.
В чём новизна? Исследователи научились укладывать квантовые точки на изолирующем нанометериале вместо укладки на проводящем графене. Это упростит технологию производства таких наноматериалов.
Исследование опубликовано в журнале Composites Part B: Engineering.