Этот подход может обеспечить высокую производительность при низких затратах и укрепить позиции Китая в производстве передовых 2-нанометровых чипов.
Китай придумал, как обойти санкции США — готов процесс создания 2 нм-чипов

Китай против санкций
Текущие литографические системы, применяемые для создания микросхем, считаются одними из самых сложных устройств, созданных человеком. В настоящее время широко применяется экстремальное ультрафиолетовое (EUV) излучение для создания 7-нанометровых чипов и чипов по более продвинутым техпроцессам.
Технология, принадлежащая компании ASML, уникальна и занимает доминирующее положение на рынке. Тем не менее, китайские исследователи разрабатывают альтернативный метод, начатый в 2017 году и приобретший популярность после успехов Huawei в области микросхем.
Проект, возглавляемый профессором Тан Чжуаньсяном из Университета Цинхуа, изучает новый метод люминесценции, известный как устойчивый микробанчинг (SSMB). Этот метод использует энергию, высвобождающуюся при ускорении заряженных частиц, в качестве источника света, порождая узкополосное, малорассеивающееся и непрерывное EUV-излучение.
Технология позволяет достигать высокой выходной мощности в 1000 Вт, что значительно превосходит текущие возможности ASML. К 2022 году на базе Университета Цинхуа был разработан новый прототип, и профессор Пан Жилунг заявил, что ключевые технологии почти готовы к внедрению.
На совещании в феврале этого года в Сионгане обсуждалось развитие технологических компаний в новом районе, и представители проекта искали подходящее место для строительства.
Этот нововведение может помочь Китаю избежать воздействия будущих санкций, хотя детали создания литографического оборудования на базе SSMB пока остаются в секрете. Профессор Тан акцентировал внимание на том, что самостоятельная разработка EUV-литографических машин на основе SSMB может предложить альтернативу запрещенным технологиям, но это требует долгосрочного технологического сотрудничества с отраслью.