Samsung начала производить модули памяти на 512 ГБ для смартфонов

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство новых чипов eUFS (Universal Flash Storage), которые расширят объем встроенной памяти будущих смартфонов до 512 гигабайт. Сообщается, что новые чипы, хотя и обладают в два раза большей емкостью, по размерам не отличаются от предыдущей модели емкостью 256 ГБ.

Редакция сайта

Samsung занимается производством устройств V-NAND в течение последних нескольких лет. Теперь компания сообщила, что начала производство нового модуля, состоящего из восьми 64-слойных V-NAND чипов и чипа контроллера, которые увеличат емкость накопителя до 512 ГБ. Это вдвое больше, чем у предыдущей модели, состоящей из 48 слоев, передает портал New Atlas.

По словам Samsung, пользователь сможет хранить около 1 300 минут видео с разрешением 4K на мобильном устройстве, в котором будет использовать новый чип eUFS; это примерно в 10 раз больше, чем в случае с Galaxy S8.

Кроме того, Samsung заявляет, что новый модуль также способен быстрее считывать и записывать информацию; скорость последовательного считывания может достигать 860 МБ/с, а скорость записи – 255 МБ/с. В компании говорят, что видеофайл размером 5 ГБ можно будет перенести на SSD примерно за 6 секунд. Разработчики отмечают также, что в новом устройстве также обновили технологию управления питанием, чтобы снизить до минимума энергопотребление.

Samsung планирует усиленно производить новые чипы, чтобы покрыть спрос, а также расширить производство уже существующей модели на 256 ГБ.